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参数资料
| 型号： | MZ0912B100YTRAY |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/14页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | MZ0912B100YTRAY |
DATA SHEET
Product specication
Supersedes data of June 1992
1997 Feb 20
DISCRETE SEMICONDUCTORS
MX0912B100Y; MZ0912B100Y
NPN microwave power transistors
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBF5484D87Z | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| MMBT5089D87Z | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA92TRL | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA92TRL13 | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBF5462L99Z | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MZ0912B50Y | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
| MZ0912B50Y TRAY | 功能描述:两极晶体管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MZ0912B50Y,114 | 功能描述:两极晶体管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MZ1.0GD100V-2.5 | 制造商:MIC 制造商全称:MIC GROUP RECTIFIERS 功能描述:ZENER DIODE |
| MZ1.0GD10V-25 | 制造商:MIC 制造商全称:MIC GROUP RECTIFIERS 功能描述:ZENER DIODE |
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