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参数资料
| 型号： | MZ0912B100YTRAY |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | MZ0912B100YTRAY |
1997 Feb 20
6
Philips Semiconductors
Product specication
NPN microwave power transistors
MX0912B100Y; MZ0912B100Y
List of components
COMPONENT
DESCRIPTION
VALUE
DIMENSIONS
CATALOGUE NO.
L1
0.65 mm diameter copper wire
total length = 12 mm;
height of loop = 12 mm
L2
4 turns 0.65 mm diameter
copper wire
int. dia. 3 mm; L = 5 mm
C1
capacitor
100 pF
ATC, ref. 100A101KP50X
C2
tantalum capacitor
10
F; 50 V
C3
electrolytic capacitor
470
F; 63 V
C4
feedthrough bypass capacitor
Erie, ref. 1250-003
C5, C6
variable gigatrim capacitor
0.6 to 4.5 pF
Tekelec, ref. 727.1
Fig.6 Pulse definition.
handbook, full pagewidth
MGK066
300
s
1
s
1
s
3 ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MMBTA92TRL13 | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBF5462L99Z | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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