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参数资料
| 型号： | NAND01GR4A3AZB6F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA63 |
| 封装： | 8.50 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-63 |
| 文件页数： | 29/56页 |
| 文件大小： | 882K |
| 代理商： | NAND01GR4A3AZB6F |
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35/56
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Table 19. DC Characteristics, 3V Devices
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IDD1
Operating
Current
Sequential
Read
tRLRL minimum
E=VIL, IOUT = 0 mA
-
10
20
mA
IDD2
Program
-
10
20
mA
IDD3
Erase
-
10
20
mA
IDD4
Stand-by Current (TTL),
128Mb, 256Mb, 512Mb devices
E=VIH, WP=0V/VDD
-
1
mA
Stand-by Current (TTL)
512Mb and 1Gb Dual Die devices
-
2
mA
IDD5
Stand-By Current (CMOS)
128Mb, 256Mb, 512Mb devices
E=VDD-0.2,
WP=0/VDD
-
10
50
A
Stand-By Current (CMOS)
512Mb and 1Gb Dual Die devices
-
20
100
A
ILI
Input Leakage Current
VIN= 0 to VDDmax
-
±10
A
ILO
Output Leakage Current
VOUT= 0 to VDDmax
-
±10
A
VIH
Input High Voltage
-
2.0
-
VDD+0.3
V
VIL
Input Low Voltage
-
0.3
-
0.8
V
VOH
Output High Voltage Level
IOH = 400A
2.4
-
V
VOL
Output Low Voltage Level
IOL = 2.1mA
-
0.4
V
IOL (RB)
Output Low Current (RB)
VOL = 0.4V
8
10
mA
VLKO
VDD Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
-
2.5
V
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PDF描述 |
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参数描述 |
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