收藏本站
参数资料
型号： NAND01GR4A3AZB6F
厂商： NUMONYX
元件分类： PROM
英文描述： 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA63
封装： 8.50 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-63
文件页数： 38/56页
文件大小： 882K
代理商： NAND01GR4A3AZB6F
43/56
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 33. Page Program AC Waveform
Note: Address cycle 4 is only required for 512Mb and 1Gb devices.
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
SR0
ai08037
N
Last
10h
70h
80h
Page Program
Setup Code
Confirm
Code
Read Status Register
tWLWL
tWHBL
tBLBH2
Page
Program
Address Input
Data Input
Add.N
cycle 1
Add.N
cycle 4
Add.N
cycle 3
Add.N
cycle 2
(Write Cycle time)
(Program Busy time)
相关PDF资料
PDF描述
NAND512R4A1AN1T 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48
NAND512R4A1AV6 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48
NAND01GR3A1AN1T 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48
NAND01GR3A3AN1T 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48
NAND01GR4A3AZB6F 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA63
相关代理商/技术参数
参数描述
NAND01GR4B 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GR4B2ADI6 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
NAND01GR4B2AN1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GR4B2AN6 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GR4B2AZA1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*