参数资料
型号: NCP1606BDR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 20/22页
文件大小: 245K
描述: IC POWER FACTOR CONTROLLER 8SOIC
标准包装: 1
模式: 临界传导(CRM)
电流 - 启动: 20µA
电源电压: 10.3 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 标准包装
其它名称: NCP1606BDR2GOSDKR
NCP1606
http://onsemi.com
20
BOOST DESIGN EQUATIONS  Components are identified in Figure 1
MOSFET Sense Resistor
R
SENSE
+
V
CS(limit)
I
pk
P
RSENSE
+ I
M(rms)
2
@ R
SENSE
V
CS(limit)
 is given in the NCP1606
specification table. The NCP1606B
has a lower V
CS(limit)
 level.
Bulk Capacitor RMS
Current
I
C(rms)
+
32 @  2
@ P
OUT
2
9 @ p @ Vac
LL
@ V
OUT
@ h
2
* (I
LOAD(rms)
)
2
Type 1 C
COMP
C
COMP
+
10
G20
4 @ p @ f
line
@ R
OUT1
G is the desired attenuation in
decibels (dB). Typically it is 60 dB.
ORDERING INFORMATION
Device
Vcs(limit) (typ) (Note 5)
I
OVP
 (typ) (Note 5)
Package
Shipping
 
NCP1606APG
1.7 V
40 mA
PDIP8
50 Units / Rail
NCP1606ADR2G
1.7 V
40 mA
SOIC8
2500 / Tape & Reel
NCP1606BPG
0.5 V
10 mA
PDIP8
50 Units / Rail
NCP1606BDR2G
0.5 V
10 mA
SOIC8
2500 / Tape & Reel
5.  See the electrical specifications section for complete information on V
CS
 and I
OVP
.
 For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specification
Brochure, BRD8011/D.
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