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参数资料
| 型号： | NCP1606BDR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/22页 |
| 文件大小： | 245K |
| 描述： | IC POWER FACTOR CONTROLLER 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 模式： | 临界传导（CRM） |
| 电流 - 启动： | 20µA |
| 电源电压： | 10.3 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCP1606BDR2GOSDKR |
NCP1606
http://onsemi.com
8
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 15. Output Gate Drive Resistance (R
OH
and R
OL
) at 100 mA vs. Temperature
Figure 16. LEB Duration (t
LEB
) vs. Temperature
TEMPERATURE (癈)
TEMPERATURE (癈)
125
100
75
50
25
0
25
50
0
2
4
8
10
12
16
18
125
100
75
50
25
0
25
50
240
250
260
270
280
6
14
150
R
OH
R
OL
150
Figure 17. Overcurrent Threshold V
CS(limit)
vs.
Temperature
TEMPERATURE (癈)
125
100
75
50
25
0
25
50
1.670
1.675
1.685
1.690
1.695
1.705
1.710
Figure 18. Undervoltage Protection Threshold
(V
UVP
) vs. Temperature
Figure 19. Shutdown Thresholds vs.
Temperature
TEMPERATURE (癈)
TEMPERATURE (癈)
150
125
100
75
25
0
25
50
0.280
0.285
0.305
0.310
0.315
0.320
125
100
75
50
25
0
25
50
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
150
50
150
1.680
1.700
0.520
0.515
0.510
0.505
0.500
0.495
0.490
0.485
0.480
A
B
0.290
0.295
0.300
V
SDH
V
SDL
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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