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参数资料
| 型号： | NCP3020ADR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| PWM 型： | 电压模式 |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 360kHz |
| 占空比： | 84% |
| 电源电压： | 4.7 V ~ 28 V |
| 降压： | 是 |
| 升压： | 无 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCP3020ADR2GOSDKR |
NCP3020A, NCP3020B, NCV3020A, NCV3020B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( ? 40 ° C < T J < +125 ° C, V CC = 12 V, for min/max values unless otherwise noted)
Characteristic
Input Voltage Range
Conditions
?
Min
4.7
Typ
Max
28
Unit
V
SUPPLY CURRENT
V CC Supply Current
V CC Supply Current
NCP3020A
NCP3020B
V FB = 0.55 V, Switching, V CC = 4.7 V
V FB = 0.55 V, Switching, V CC = 28 V
V FB = 0.55 V, Switching, V CC = 4.7 V
V FB = 0.55 V, Switching, V CC = 28 V
?
?
?
?
5.5
7.0
5.9
7.8
8.0
11
10
13
mA
mA
mA
mA
UNDER VOLTAGE LOCKOUT
UVLO Rising Threshold
UVLO Falling Threshold
V CC Rising Edge
V CC Falling Edge
4.0
3.5
4.3
3.9
4.7
4.3
V
V
OSCILLATOR
Oscillator Frequency
Oscillator Frequency
Ramp ? Amplitude Voltage
Ramp Valley Voltage
NCP3020A
NCP3020B
T J = +25 ° C, 4.7 V v V CC v 28 V
T J = ? 40 ° C to +125 ° C, 4.7 V v V CC v 28 V
T J = +25 ° C, 4.7 V v V CC v 28 V
T J = ? 40 ° C to +125 ° C, 4.7 V v V CC v 28 V
V peak ? V alley (Note 4)
250
240
550
530
?
0.46
300
300
600
600
1.5
0.70
350
360
650
670
?
0.88
kHz
kHz
kHz
kHz
V
V
PWM
Minimum Duty Cycle
Maximum Duty Cycle
NCP3020A
NCP3020B
(Note 4)
?
80
75
7.0
84
80
?
?
?
%
%
Soft Start Ramp Time
NCP3020A
NCP3020B
V FB = V COMP
?
?
6.8
4.4
?
?
ms
ERROR AMPLIFIER (GM)
Transconductance
0.9
1.4
1.9
mS
Open Loop dc Gain
Output Source Current
Output Sink Current
FB Input Bias Current
Feedback Voltage
COMP High Voltage
COMP Low Voltage
(Notes 4 and 6)
V FB = 545 mV
V FB = 655 mV
T J = 25 ° C
4.7 V < V CC < V IN < 28 V, ? 40 ° C < T J < +125 ° C
V FB = 0.55 V
V FB = 0.65 V
?
45
45
?
0.591
0.588
4.0
?
70
75
75
0.5
0.6
0.6
4.4
72
?
100
100
500
0.609
0.612
5.0
250
dB
m A
m A
nA
V
V
V
mV
OUTPUT VOLTAGE FAULTS
Feedback OOV Threshold
Feedback OUV Threshold
0.66
0.42
0.75
0.45
0.84
0.48
V
V
OVERCURRENT
ISET Source Current
7.0
13
18
m A
Current Limit Set Voltage (Note 5)
T J = 25 ° C, R SET = 22.5 k W
140
240
360
mV
Guaranteed by design.
The voltage sensed across the high side MOSFET during conduction.
This assumes 100 pF capacitance to ground on the COMP Pin and a typical internal R o of > 10 M W .
This is not a protection feature.
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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