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参数资料
| 型号： | NCP5211DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BUCK PWM 14-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| PWM 型： | 电流/电压模式，V²? |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 900kHz |
| 占空比： | 100% |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 14 V |
| 降压： | 是 |
| 升压： | 无 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCP5211
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (?40 ° C < T A < 85 ° C; ?40 ° C < T J < 125 ° C; 4.5 V < V CC , V C < 14 V; 7.0 V < BST < 20 V;
C GATE(H) = C GATE(L) = 3.3 nF; R OSC = 51 k; C COMP = 0.1 m F, unless otherwise specified.) (Note 2)
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Error Amplifier
V FB Bias Current
COMP Source Current
COMP SINK Current
Open Loop Gain
Unity Gain Bandwidth
PSRR @ 1.0 kHz
Output Transconductance
Output Impedance
Reference Voltage
COMP Max Voltage
COMP Min Voltage
V FB = 0 V
V FB = 0.8 V
V FB = 1.2 V
?
C = 0.1 m F
?
?
?
?0.1 V < SGND < 0.1 V, COMP = V FB , Measure V FB to SGND
V FB = 0.8 V
V FB = 1.2 V
?
15
15
?
?
?
?
?
0.977
2.5
?
0.1
30
30
98
50
70
32
2.5
0.992
3.0
0.1
1.0
60
60
?
?
?
?
?
1.007
?
0.2
m A
m A
m A
dB
kHz
dB
mmho
M W
V
V
V
GATE(H) and GATE(L)
High Voltage (AC)
GATE(L),
V C ? 0.5
?
?
V
GATE(H) 0.5 nF < C GATE(H) = C GATE(L) < 10 nF
BST ? 0.5
Low Voltage (AC)
Rise Time
GATE(L) or GATE(H) 0.5 nF < C GATE(H) ; C GATE(L) < 10 nF
V C = BST = 10 V, Measure:
?
?
?
40
0.5
80
V
ns
1.0 V < GATE(L) < 9.0 V, 1.0 V < GATE(H) < 9.0 V
Fall Time
V C = BST = 10 V, Measure:
?
40
80
ns
1.0 V < GATE(L) < 9.0 V, 1.0 V < GATE(H) < 9.0 V
GATE(H) to GATE(L) Delay
GATE(L) to GATE(H) Delay
GATE(H)/(L) Pull?Down
GATE(H) < 2.0 V, GATE(L) > 2.0 V
GATE(L) < 2.0 V, GATE(H) > 2.0 V
Resistance to PGND
40
40
20
70
70
50
110
110
115
ns
ns
K W
Overcurrent Protection
OVC Comparator Offset Voltage
IS+ Bias Current
IS? Bias Current
COMP Discharge Threshold
COMP Discharge Current in
0 V < IS+ < V CC , 0 V < IS? < V CC
0 V < IS+ < V CC
0 V < IS? < V CC
?
COMP = 1.0 V
54
?1.0
?1.0
0.20
2.0
60
0.1
0.1
0.25
5.0
66
1.0
1.0
0.30
8.0
mV
m A
m A
V
m A
OVC Fault Mode
PWM Comparator
Transient Response
PWM Comparator Offset
Artificial Ramp
V FFB Bias Current
V FFB Input Range
Minimum Pulse Width
COMP = 0 ? 1.5 V, V FFB , 20 mV overdrive
V FB = V FFB = 0 V; Increase COMP until GATE(H) starts switching
Duty Cycle = 90%
V FFB = 0 V
(Note 4)
?
?
0.425
40
?
?
?
100
0.475
70
0.1
?
?
200
0.525
100
1.0
1.1
200
ns
V
mV
m A
V
ns
Oscillator
Switching Frequency
Switching Frequency
Switching Frequency
R OSC Voltage
R OSC = 18 k
R OSC = 51 k
R OSC = 115 k W
?
600
240
120
1.21
750
300
150
1.25
900
360
180
1.29
kHz
kHz
kHz
V
2. Guaranteed by design. Not tested in production.
http://onsemi.com
4
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