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参数资料
| 型号： | NCP5211DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BUCK PWM 14-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| PWM 型： | 电流/电压模式，V²? |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 900kHz |
| 占空比： | 100% |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 14 V |
| 降压： | 是 |
| 升压： | 无 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCP5211
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) (?40 ° C < T A < 85 ° C; ?40 ° C < T J < 125 ° C; 4.5 V < V CC , V C < 14 V; 7.0 V < BST <
20 V; C GATE(H) = C GATE(L) = 3.3 nF; R OSC = 51 k; C COMP = 0.1 m F, unless otherwise specified.) (Note 3)
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
General Electrical Specifications
V CC Supply Current
BST/V C Supply Current
Start Threshold
Stop Threshold
Hysteresis
Sense Ground Current
COMP = 0 V (no switching)
COMP = 0 V (no switching)
GATE(H) Switching, COMP Charging
GATE(H) Not Switching, COMP Not Charging
Start?Stop
(Note 4)
?
?
3.90
3.75
100
?
5.0
2.0
4.05
3.90
150
0.15
8.0
3.0
4.20
4.05
200
1.00
mA
mA
V
V
mV
mA
3. Guaranteed by design. Not tested in production.
4. Recommended maximum operating voltage between the three grounds is 200 mV.
V FFB
0.5 V
Σ
PWM Comparator
Reset Dominant
R Q
BST
GATE(H)
COMP
V FB
?
+
Error Amp
ART Ramp
OSC
R OSC
S Q
PWM FF
V C
SGND
1.0 V
?
100 % DC
Comparator
Fault
GATE(L)
PGND
0.8 V
+
UVLO
R OSC
V CC
V START
Comparator
UVLO
Set Dominant
S Q
Fault
IS+
OC
Comparator
?
60 mV
0.25 V
+
R
Q
IS?
LGND
5.0 m A
COMP Discharge COMP
Figure 2. Block Diagram
http://onsemi.com
5
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