参数资料
| 型号： | NCP5322ADWR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 23/31页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTRLR BUCK 2PH STEPDWN 28SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 1 |
| 应用： | 控制器，高性能处理器 |
| 输入电压： | 4.5 V ~ 14 V |
| 输出数： | 2 |
| 输出电压： | 3.3V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOIC |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NCP5322ADWR2OSCT |
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NCP5322A
voltage increase at the V DRP pin at full?load ( D V DRP ), the
designer must consider the output inductor ’s resistance
(R L ), the PCB trace resistance between the current sense
points (R PCB ), and the controller IC’s gain from the current
sense to the V DRP pin (G VDRP ):
D V OUT,FULL?LOAD is the full?load voltage reduction
from the VID (DAC) setting. D V OUT,FULL?LOAD is not the
voltage change from the no?load AVP setting.
7. Current Sensing
D VDRP
(IBIASVFB ) D VOUT,FULL?LOAD RFBK1)
RCSn @ CCSn + Lo (RL ) RPCB)
D VDRP + IO,MAX @ (RL ) RPCB) @ GVDRP
The value of R DRP can then be calculated:
RDRP +
(30)
(31)
For inductive current sensing, choose the current sense
network (R CSn , C CSn , n = 1 or 2) to satisfy
(32)
R CS1
L1
I MAX /2
C CS1
CS1
+
?
G VDRP
Σ
COMP
Error
Amp
+?
VID Setting
IBIAS VFB
L2
R CS2
CS2
+
?
G VDRP
R DRP
V DRP = VID + V FB = VID
I MAX ? R L ? G VDRP
R VFBK
V CORE
I MAX /2
C CS2
I DRP
I FBK
CS REF
I DRP = I MAX ? R L ? G VDRP /R DRP
I FBK = I DRP ? IBIAS VFB
V CORE = VID ? (I DRP ? IBIAS VFB ) w R VFBK
= VID ? I MAX w R L w G VDRP w R FBK /R DRP + IBIAS VFB w R FBK
Figure 19. AVP Circuitry at Full?Load
Figure 20. V DRP Tuning Waveforms. The RC Time
Constant of the Current Sense Network Is Too Long
(Slow): V DRP and V OUT Respond Too Slowly.
Figure 21. V DRP Tuning Waveforms. The RC Time
Constant of the Current Sense Network Is Too Short
(Fast): V DRP and V OUT Both Overshoot.
http://onsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NCP5331/D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Two Phase PWM Controller with Integrated Gate Drivers |
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