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参数资料
| 型号： | NCV33152DR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER MOSFET DUAL HS 8SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 55ns |
| 电流 - 峰： | 1.5A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 6.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NCV33152DR2OS |
MC34152, MC33152, NCV33152
PACKAGE DIMENSIONS
PDIP ? 8
P SUFFIX
CASE 626 ? 05
ISSUE N
NOTE 8
A1
D1
8
1
e/2
e
D
TOP VIEW
5
4
b2
A
E1
B
A2
A
L
8X b
H
NOTE 3
SEATING
PLANE
C
E
c
END VIEW
WITH LEADS CONSTRAINED
NOTE 5
M
eB
END VIEW
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCHES.
3. DIMENSIONS A, A1 AND L ARE MEASURED WITH THE PACK-
AGE SEATED IN JEDEC SEATING PLANE GAUGE GS ? 3.
4. DIMENSIONS D, D1 AND E1 DO NOT INCLUDE MOLD FLASH
OR PROTRUSIONS. MOLD FLASH OR PROTRUSIONS ARE NOT
TO EXCEED 0.10 INCH.
5. DIMENSION E IS MEASURED AT A POINT 0.015 BELOW DATUM
PLANE H WITH THE LEADS CONSTRAINED PERPENDICULAR
TO DATUM C.
6. DIMENSION E3 IS MEASURED AT THE LEAD TIPS WITH THE
LEADS UNCONSTRAINED.
7. DATUM PLANE H IS COINCIDENT WITH THE BOTTOM OF THE
LEADS, WHERE THE LEADS EXIT THE BODY.
8. PACKAGE CONTOUR IS OPTIONAL (ROUNDED OR SQUARE
CORNERS).
INCHES
MILLIMETERS
DIM
MIN MAX
MIN MAX
???? 0.210
??? 5.33
A
0.015 ????
0.38 ???
A1
0.115 0.195
2.92 4.95
A2
0.014 0.022
0.35 0.56
b
0.060 TYP
1.52 TYP
b2
0.008 0.014
0.20 0.36
C
0.355 0.400
9.02 10.16
D
0.005 ????
0.13 ???
D1
0.300 0.325
7.62 8.26
E
0.240 0.280
6.10 7.11
E1
0.100 BSC
2.54 BSC
e
???? 0.430
??? 10.92
eB
0.115 0.150
2.92 3.81
L
???? 10 °
??? 10 °
M
SIDE VIEW
0.010
M
C A
M
B
M
NOTE 6
http://onsemi.com
11
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV33152DR2G | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCV33161 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Universal Voltage Monitors |
| NCV33161DMR2G | 功能描述:电压监测器/监控器 AEC ANA UNI VOLT MONITOR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 监测电压数:2 监测电压:Adjustable 输出类型:Open Drain 欠电压阈值: 过电压阈值: 准确性:1 % 工作电源电压:1.5 V to 6.5 V 工作电源电流:1.8 uA 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SON-6 安装风格:SMD/SMT |
| NCV33161DR2 | 功能描述:监控电路 2.65V UnderVoltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| NCV33161DR2G | 功能描述:监控电路 ANA UNIV VOLT MNTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
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