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参数资料
| 型号： | NCV33152DR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER MOSFET DUAL HS 8SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 55ns |
| 电流 - 峰： | 1.5A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 6.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NCV33152DR2OS |
MC34152, MC33152, NCV33152
MAXIMUM RATINGS
Rating
Power Supply Voltage
Logic Inputs (Note 1)
Drive Outputs (Note 2)
Totem Pole Sink or Source Current
Diode Clamp Current (Drive Output to V CC )
Symbol
V CC
V in
I O
I O(clamp)
Value
20
? 0.3 to +V CC
1.5
1.0
Unit
V
V
A
Power Dissipation and Thermal Characteristics
D Suffix, Plastic Package Case 751
Maximum Power Dissipation @ T A = 50 ° C
Thermal Resistance, Junction ? to ? Air
P Suffix, Plastic Package, Case 626
Maximum Power Dissipation @ T A = 50 ° C
Thermal Resistance, Junction ? to ? Air
Operating Junction Temperature
P D
R q JA
P D
R q JA
T J
0.56
180
1.0
100
+150
W
° C/W
W
° C/W
° C
Operating Ambient Temperature
Operating Ambient Temperature
Operating Ambient Temperature
Storage Temperature Range
MC34152
MC33152
MC33152V, NCV33152
T A
T stg
0 to +70
? 40 to +85
? 40 to +125
? 65 to +150
° C
° C
Electrostatic Discharge Sensitivity (ESD)
Human Body Model (HBM)
Machine Model (MM)
ESD
2000
200
V
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. For optimum switching speed, the maximum input voltage should be limited to 10 V or V CC , whichever is less.
2. Maximum package power dissipation limits must be observed.
http://onsemi.com
2
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV33152DR2G | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCV33161 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Universal Voltage Monitors |
| NCV33161DMR2G | 功能描述:电压监测器/监控器 AEC ANA UNI VOLT MONITOR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 监测电压数:2 监测电压:Adjustable 输出类型:Open Drain 欠电压阈值: 过电压阈值: 准确性:1 % 工作电源电压:1.5 V to 6.5 V 工作电源电流:1.8 uA 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SON-6 安装风格:SMD/SMT |
| NCV33161DR2 | 功能描述:监控电路 2.65V UnderVoltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| NCV33161DR2G | 功能描述:监控电路 ANA UNIV VOLT MNTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
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