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参数资料
| 型号： | NCV33152DR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER MOSFET DUAL HS 8SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 55ns |
| 电流 - 峰： | 1.5A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 6.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NCV33152DR2OS |
MC34152, MC33152, NCV33152
3.0
High State Clamp (Drive
2.0
Output Driven Above V CC )
V CC = 12 V
80 m s Pulsed Load
120 Hz Rate
T A = 25 ° C
1.0
0
0
V CC
Low State Clamp (Drive
GND
Output Driven Below Ground)
-1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I O , OUTPUT CLAMP CURRENT (A)
Figure 8. Drive Output Clamp Voltage
versus Clamp Current
0
-1.0
- 2.0
V CC
Source Saturation V CC = 12 V
(Load to Ground) 80 m s Pulsed Load
120 Hz Rate
T A = 25 ° C
0
- 0.5
- 0.7
- 0.9
-1.1
Source Saturation
(Load to Ground)
V CC = 12 V
V CC
I source = 10 mA
I source = 400 mA
- 3.0
1.9
3.0
1.7
I sink = 400 mA
2.0
1.0
0
0
0.2
0.4
Sink Saturation
(Load to V CC )
0.6 0.8
GND
1.0
1.2
1.4
1.5
1.0
0.8
0.6
0
- 55
Sink Saturation
(Load to V CC )
- 25
0
GND
25
50
75
I sink = 10 mA
100 125
I O , OUTPUT CLAMP CURRENT (A)
Figure 9. Drive Output Saturation Voltage
versus Load Current
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 10. Drive Output Saturation Voltage
versus Temperature
V CC = 12 V
90% -
V CC = 12 V
V in = 0 V to 5.0 V
90% -
V in = 0 V to 5.0 V
C L = 1.0 nF
T A = 25 ° C
10% -
C L = 1.0 nF
T A = 25 ° C
10 ns/DIV
Figure 11. Drive Output Rise Time
10% -
http://onsemi.com
5
10 ns/DIV
Figure 12. Drive Output Fall Time
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-BNX-CX-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 75W |
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| AT24C512BN-SH-T | IC EEPROM 512KBIT 1MHZ 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV33152DR2G | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCV33161 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Universal Voltage Monitors |
| NCV33161DMR2G | 功能描述:电压监测器/监控器 AEC ANA UNI VOLT MONITOR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 监测电压数:2 监测电压:Adjustable 输出类型:Open Drain 欠电压阈值: 过电压阈值: 准确性:1 % 工作电源电压:1.5 V to 6.5 V 工作电源电流:1.8 uA 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SON-6 安装风格:SMD/SMT |
| NCV33161DR2 | 功能描述:监控电路 2.65V UnderVoltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| NCV33161DR2G | 功能描述:监控电路 ANA UNIV VOLT MNTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
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