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参数资料
| 型号： | NCV8440STT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 2.6A 59V SOT-223-4 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 59V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | * |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | * |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | * |
| 功率 - 最大： | 1.69W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCV8440, NCV8440A
MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwis e noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 5)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
375
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
V GS = 4.5 V, V DD = 40 V,
I D = 2.6 A, R D = 15.4 W
t r
t d(off)
t f
1525
1530
1160
Turn ? On Delay Time
t d(on)
325
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
V GS = 4.5 V, V DD = 40 V,
I D = 1.0 A, R D = 40 W
t r
t d(off)
t f
1275
1860
1150
Turn ? On Delay Time
t d(on)
190
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
V GS = 10 V, V DD = 15 V,
I D = 2.6 A, R D = 5.8 W
t r
t d(off)
t f
710
2220
1180
Gate Charge
Gate Charge
V GS = 4.5 V, V DS = 40 V,
I D = 2.6 A (Note 3)
V GS = 4.5 V, V DS = 15 V,
I D = 1.5 A (Note 3)
Q T
Q 1
Q 2
Q T
Q 1
Q 2
4.5
0.9
2.6
3.9
1.0
1.7
nC
nC
SOURCE ? DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Forward On ? Voltage
Reverse Recovery Time
I S = 2.6 A, V GS = 0 V (Note 3)
I S = 2.6 A, V GS = 0 V, T J = 125 ° C
V SD
t rr
0.81
0.66
730
1.5
V
ns
I S = 1.5 A, V GS = 0 V,
dI s /dt = 100 A/ m s (Note 3)
t a
t b
200
530
Reverse Recovery Stored Charge
Q RR
6.3
m C
ESD CHARACTERISTICS (Note 4)
Electro ? Static Discharge Capability
Human Body Model (HBM)
ESD
5000
V
Machine Model (MM)
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
4. Not subject to production testing.
5. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
4
500
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