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参数资料
| 型号： | NCV8440STT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 2.6A 59V SOT-223-4 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 59V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | * |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | * |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | * |
| 功率 - 最大： | 1.69W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCV8440, NCV8440A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2.00
1.2
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
I D = 2 A
V GS = 5 V
V GS = 10 V
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
I D = 100 m A,
V DS = V GS
0.50
? 40 ? 20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.6
? 40 ? 20
0
20
40
60
80
100
120 140
1000
100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 7. Normalized R DS(on) vs. Temperature
V GS = 0 V
10
8
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 8. Normalized Threshold Voltage vs.
Temperature
10
6
1
150 ° C
0.1
100 ° C
4
0.01
0.001
10
25 ° C
15
20
25
30
35
40
45
50
2
0
0.5
150 ° C
0.6
25 ° C
0.7
0.8
? 40 ° C
0.9
1
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Drain ? to ? Source Leakage Current
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Source ? Drain Diode Forward
Characteristics
500
C iss
400 V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
V DS
Q GS
Q T
Q GD
V GS
50
40
300
200
C rss
C iss
3
2
30
20
100
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
25
C oss
C rss
30
35
1
0
0
1
I D = 2.6 A
T J = 25 ° C
2 3 4
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
5
10
0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Capacitance Variation
Figure 12. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Gate Charge
http://onsemi.com
6
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