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参数资料
| 型号： | NCV8440STT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 2.6A 59V SOT-223-4 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 59V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | * |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | * |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | * |
| 功率 - 最大： | 1.69W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCV8440, NCV8440A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
10
25 ° C
100 ° C
100
150 ° C
25 ° C
100 ° C
150 ° C
1
0.1
1
10
100
10
0.1
1
10
100
L, LOAD INDUCTANCE (mH)
Figure 1. Single Pulse Maximum Switch ? off
Current vs. Load Inductance
L, LOAD INDUCTANCE (mH)
Figure 2. Single Pulse Maximum Switching
Energy vs. Load Inductance
10
8
V GS = 10 V
5V
T J = 25 ° C
4V
3.8 V
10
8
V DS ≥ 10 V
3.6 V
6
4
3.4 V
3.2 V
3V
6
4
2
2.8 V
2
T J = 150 ° C
0
0
1
2
3
4
2.6 V
2.4 V
5
0
1
T J = 25 ° C
1.5 2
T J = ? 40 ° C
2.5 3
3.5
4
350
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? State Output Characteristics
I D = 2 A
300
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Transfer Characteristics
300
250
200
150 ° C
250
200
150 ° C, V GS = 5 V
150 ° C, V GS = 10 V
150
100
25 ° C
150
100
25 ° C, V GS = 5 V
25 ° C, V GS = 10 V
50
3
? 40 ° C
4
5
6
7
8
9
10
50
1
? 40 ° C, V GS = 5 V
2 3 4
5
? 40 ° C, V GS = 10 V
6 7 8
9
10
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. R DS(on) vs. Gate ? Source Voltage
http://onsemi.com
5
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 6. R DS(on) vs. Drain Current
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PDF描述 |
|---|---|
| NDB5060L | MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV8440STT3G | 功能描述:MOSFET N-CH 2.6A 59V SOT-223-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NCV8450 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected High Side Driver with Temperature and Current Limit |
| NCV8450ASTT3G | 功能描述:电源开关 IC - 配电 NCV8450A RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 |
| NCV8450STT3G | 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED HIGH SIDE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8452 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self Protected High Side Driver with Temperature |
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