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参数资料
| 型号： | NDS331N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 162pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS331NDKR |
Electrical Characteristics (T A = 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
I S
I SM
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
0.42
10
A
A
V SD
Drain-Source Diode Forward Voltage
V GS = 0 V, I S = 0.42 A (Note 2)
0.8
1.2
V
Notes:
1. R θ JA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of the drain pins. R θ JC is guaranteed by
design while R θ CA is determined by the user's board design.
P D ( t ) =
T J ? T A
R θ J A ( t )
=
T J ? T A
R θ J C + R θ CA ( t )
= I 2 D ( t ) × R DS ( ON )
T J
Typical R θ JA using the board layouts shown below on 4.5"x5" FR-4 PCB in a still air environment:
a. 250 o C/W when mounted on a 0.02 in 2 pad of 2oz copper.
b. 270 o C/W when mounted on a 0.001 in 2 pad of 2oz copper.
1a
1b
Scale 1 : 1 on letter size paper
2. Pulse Test: Pulse Width < 300μs, Duty Cycle < 2.0%.
NDS331N Rev.E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDS332P | MOSFET P-CH 20V 1A SSOT3 |
| NDS351AN | MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 |
| NDS355AN | MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3 |
| NDS355N | MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3 |
| NDS7002A | MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS331N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET 20V 1.3A SUPER SOT |
| NDS331N_D87Z | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS331N_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS331N-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:NDS Sereis N-Channel 20 V 0.16O Enhancement Mode Field Effect Transistor SSOT-3 |
| NDS332 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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