- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录483 > NDS331N (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NDS331N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 162pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS331NDKR |
Typical Electrical Characteristics (continued)
1.12
I D = 250μA
1
V GS = 0V
1.08
0.1
T J = 125°C
1.04
1
0.01
25°C
-55°C
0.96
0.001
0.92
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
SD
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
Source Current and Temperature .
600
400
5
I D = 1.3A
V DS = 5V
10V
4
15V
200
C iss
3
100
50
C oss
C rss
2
20
f = 1 MHz
V GS = 0V
1
10
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Capacitance Characteristics .
Figure 10. Gate Charge Characteristics .
V DD
t on
t off
V IN
R L
t d(on)
t r
90%
t d(off)
90%
t f
D
V OUT
V GS
R GEN
G
DUT
V OUT
10%
10%
INVERTED
90%
S
V IN
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
Figure 11. Switching Test Circuit .
Figure 12. Switching Waveforms .
NDS331N Rev.E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDS332P | MOSFET P-CH 20V 1A SSOT3 |
| NDS351AN | MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 |
| NDS355AN | MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3 |
| NDS355N | MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3 |
| NDS7002A | MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS331N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET 20V 1.3A SUPER SOT |
| NDS331N_D87Z | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS331N_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS331N-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:NDS Sereis N-Channel 20 V 0.16O Enhancement Mode Field Effect Transistor SSOT-3 |
| NDS332 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。