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参数资料
| 型号： | NDS331N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 162pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS331NDKR |
Typical Electrical Characteristics
4
V GS =4.5V
2.5
1.75
3.0
2.7
2.0
1.5
3
V GS = 2.0V
1.25
2
2.5
1.5
1
2.7
3.0
3.5
1
0.75
4.5
0
0
V
DS
1 2
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
3
0.5
0
0.5
I
1
D
1.5 2
, DRAIN CURRENT (A)
2.5
3
1.8
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.75
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
1.6
I D = 1.3A
V GS = 2.7V
1.5
V GS = 2.7 V
T J = 125°C
1.4
1.25
1.2
1
1
25°C
0.8
0.75
-55°C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature .
I , DRAIN CURRENT (A)
D
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature .
4
3
V DS = 5.0V
T = -55°C
J
25°C
125°C
1.3
1.2
1.1
V DS = V GS
I D = 250μA
1
2
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 5. Transfer Characteristics .
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature .
NDS331N Rev.E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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