- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录483 > NDS355N (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NDS355N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 07/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 1.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 245pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS355NDKR |
Typical Electrical Characteristics
12
2
V GS =10V
6.0
5.0
V GS =3.5V
4.5
9
4.0
1.5
4.0
4.5
6
5.0
3
3.5
3.0
1
6.0
10
0
0
1
2
3
4
0.5
0
3
6
9
12
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
1.6
Figure 1. On-Region Characteristics
I D = 1.6A
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate Voltage
and Drain Current
3
V GS = 4.5V
1.4
1.2
1
V
GS
=4.5V
2.5
2
1.5
T J = 125°C
25°C
-55°C
0.8
1
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.5
0
2
4
6
8
10
12
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
1.2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature
8
V DS = 10V
T J = -55°C
25°C
125°C
1.1
V DS = V GS
I D = 250μA
1
6
0.9
4
0.8
2
0.7
0
1
2
3
4
5
6
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature
NDS355N Rev. D1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDS7002A | MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23 |
| NDS8425 | MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC |
| NDS8434 | MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC |
| NDS8947 | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC |
| NDS9400A | MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS355N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| NDS355N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| NDS355N_D87Z | 功能描述:MOSFET N-Channel FET LL Enhancement RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS356 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDS356AP | 功能描述:MOSFET P-Channel Logic RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。