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参数资料
| 型号： | NDS355N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 07/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 1.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 245pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS355NDKR |
Typical Electrical Characteristics (continued)
8
20
1m
6
-55°C
25°C
10
2
R
DS
(
ON
)
Lim
it
10
s
0u
s
T J = 125°C
1
10
ms
0m
10 s
DC
4
2
0.5
0.1
V GS = 10V
SINGLE PULSE
10
1
s
s
V DS = 5V
T A = 25°C
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
2
5
10
20
30
50
I D D , DRAIN CURRENT (A)
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature
1
Figure 14. Maximum Safe Operating Area
0.5
0.2
D = 0.5
0.2
θ JA
0.1
0.05
0.02
0.1
0.05
0.02
P(pk)
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R = 250 °C/W
0.01
0.005
0.01
Single Pulse
t 1
t 2
0.002
0.001
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
Note : Characterization performed using the conditions described in note 1c. Transient thermal response will
change depending on the circuit board design.
NDS355N Rev. D1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| NDS8434 | MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS355N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| NDS355N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| NDS355N_D87Z | 功能描述:MOSFET N-Channel FET LL Enhancement RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS356 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDS356AP | 功能描述:MOSFET P-Channel Logic RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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