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参数资料
| 型号： | NDS355N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 07/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 1.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 245pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS355NDKR |
Typical Electrical Characteristics (continued)
1.15
20
I D = 250μA
10
V GS = 0V
1.1
1
1.05
T J = 125°C
25°C
1
0.95
0.1
0.01
-55°C
0.9
-50
-25
0
T J
25 50 75 100 125
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
150
175
0.001
0.2
0.4 0.6 0.8 1 1.2
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
500
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
10
300
C iss
I
D
= 1.6A
V DS = 5V
200
C oss
8
10
100
50
30
6
4
15
f = 1 MHz
C rss
2
V GS = 0 V
0
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
0
1
2
3
4
5
6
7
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Capacitance Characteristics
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 10. Gate Charge Characteristics
V DD
t on
t off
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V IN
R L
90%
90%
V GS
R GEN
G
D
DUT
V OUT
Output, Vout
10%
10%
90%
Inverted
Input, Vin
50%
50%
S
10%
Pulse Width
Figure 11. Switching Test Circuit
Figure 12. Switching Waveforms
NDS355N Rev. D1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDS7002A | MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23 |
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| NDS8434 | MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS355N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| NDS355N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| NDS355N_D87Z | 功能描述:MOSFET N-Channel FET LL Enhancement RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS356 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDS356AP | 功能描述:MOSFET P-Channel Logic RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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