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参数资料
| 型号： | NDS8434 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2330pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS8434DKR |
Typical Electrical Characteristics
-25
2.5
-20
V GS = -4.5V
-2.7
-3.0
2
V GS = -2.0V
-2.5
-15
-2.0
-2.5
-10
1.5
-2.7
-3.0
-3.5
-5
-1.5
1
-4.5
0
0
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
0.5
0
-5
-10
-15
-20
-25
1.6
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
1.4
I D = -6.5A
V GS = -4.5V
V GS = -4.5V
T J = 125°C
1.5
1.2
1
25°C
1
-55°C
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.5
0
-5
-10
-15
-20
-25
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
-25
J
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
1.4
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature.
J
-20
V DS = -5.0V
T = -55°C
125°C
1.2
V DS = V GS
I D = -250μA
25°C
-15
-10
-5
1
0.8
0.6
0
0
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature.
NDS8434 Rev. A3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS8434_Q | 功能描述:MOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS8434A | 功能描述:MOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS8434A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| NDS8434A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SO-8 |
| NDS8434A_NL | 功能描述:MOSFET 20V P-CH. FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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