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参数资料
| 型号： | NDS8434 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2330pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS8434DKR |
Typical Electrical Characteristics (continued)
1.08
25
J
1.06
1.04
I D = -250μA
10
1
V
GS
= 0V
T = 125°C
25°C
-55°C
1.02
0.1
1
0.01
0.98
0.96
0.001
0.94
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
5500
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 7. Breakdown Voltage
Variation with Temperature.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and
Temperature.
5
4000
C iss
4
I D = -6.5A
V DS = -5.0V
-15V
2000
1000
800
500
C oss
3
2
-10V
300
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
1
200
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
0
0
10
20
30
40
50
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
-V DD
t on
t off
V IN
R L
t d(on)
t r
90%
t d(off)
90%
t f
V GS
R GEN
G
D
DUT
V OUT
V OUT
10%
10%
90%
S
V IN
50%
50%
10%
PULSE W IDTH
INVERTED
Figure 11. Switching Test Circuit.
Figure 12. Switching Waveforms.
NDS8434 Rev. A3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDS8947 | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC |
| NDS9400A | MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC |
| NDS9407 | MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC |
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| NDS9948 | MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS8434_Q | 功能描述:MOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS8434A | 功能描述:MOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS8434A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| NDS8434A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SO-8 |
| NDS8434A_NL | 功能描述:MOSFET 20V P-CH. FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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