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参数资料
| 型号： | NDS9400A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS9400ADKR |
Electrical Characteristics (T A = 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV DSS
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate - Body Leakage, Forward
Gate - Body Leakage, Reverse
V GS = 0 V, I D = -250 μA
V DS = -24 V, V GS = 0 V
V GS = 20 V, V DS = 0 V
V GS = -20 V, V DS = 0 V
T J = 55°C
-30
-2
-25
100
-100
V
μA
μA
nA
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = -250 μA
-1
-1.6
-2.8
V
T J = 125°C
-0.85
-1.25
-2.5
R DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
V GS = -10 V, I D = -1.0 A
0.11
0.13
?
V GS = -4.5 V, I D = -0.5 A
T J = 125°C
T J = 125°C
0.15
0.17
0.24
0.21
0.2
0.32
I D(on)
g FS
On-State Drain Current
Forward Transconductance
V GS = -10 V, V DS = -5 V
V DS = -15 V, I D = -3.4 A
-10
4
A
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = -10 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
350
260
100
pF
pF
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 2)
t D(on)
t r
t D(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn - On Delay Time
Turn - On Rise Time
Turn - Off Delay Time
Turn - Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = -10 V, I D = -1 A,
V GEN = -10 V, R GEN = 6 ?
V DS = -10 V,
I D = -3.4 A, V GS = -10 V
9
21
21
8
10
1.6
3.4
40
40
90
50
25
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
NDS9400A.SAM
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