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参数资料
| 型号： | NDS9400A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS9400ADKR |
Electrical Characteristics (T A = 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
I S
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
-1.9
A
V SD
Drain-Source Diode Forward Voltage
V GS = 0 V, I S = -1.25 A
(Note 2)
-0.8
-1.3
V
t rr
I rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Current
V GS = 0 V, I F = -2.0 A, dI F /dt = 100 A/μs
1.9
100
ns
A
Notes:
1. R θ JA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of the drain pins. R θ JC is guaranteed by
design while R θ CA is determined by the user's board design.
P D ( t ) =
T J ? T A
R θ J A ( t )
=
T J ? T A
R θ J C + R θ CA ( t )
= I 2 D ( t ) × R DS ( ON )
T J
Typical R θ JA using the board layouts shown below on 4.5"x5" FR-4 PCB in a still air environment:
a. 50 o C/W when mounted on a 1 in 2 pad of 2oz cpper.
b. 105 o C/W when mounted on a 0.04 in 2 pad of 2oz cpper.
c. 125 o C/W when mounted on a 0.006 in 2 pad of 2oz cpper.
1a
1b
1c
Scale 1 : 1 on letter size paper
2. Pulse Test: Pulse Width < 300μs, Duty Cycle < 2.0%.
NDS9400A.SAM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDS9407 | MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS9400A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P LOGIC SO-8 |
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| NDS9405 | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS9405_D84Z | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS9407 | 功能描述:MOSFET Single P-Ch MOSFET Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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