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参数资料
| 型号： | NDT014 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 155pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NDT014DKR |
Typical Electrical Characteristics
8
2.5
6
V
GS
= 10V
8.0
7.0
2
V GS = 5.5V
6.0
6.5
6.5
7.0
4
6.0
1.5
8.0
2
5.5
5.0
4.5
1
10
0
0
1
2
3
4
0.5
0
2
4
6
8
10
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I D , DRAIN CURRENT (A)
2
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate Voltage
and Drain Current.
3
1.8
I D = 2.7A
V G S = 10V
2.5
V GS = 10 V
1.6
1.4
2
T J = 125°C
1.2
1
1.5
1
25°C
-55°C
0.8
0.5
0.6
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
2
4
6
8
10
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
J
I
D
, DRAIN-CURRENT(A)
10
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
1.2
8
V DS = 10V
T J = -55°C
25°C
125°C
1.1
V DS = V GS
I D = 250μA
6
4
2
1
0.9
0.8
0
2
4
6
8
10
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
NDT014 Rev. C1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDT2955 | MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 |
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| NDT3055 | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDT014(J23Z) | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223 |
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| NDT014L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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| NDT01N60 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5 |
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