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参数资料
| 型号： | NDT014 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 155pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NDT014DKR |
Typical Electrical Characteristics (continued)
4
20
1m 0 s
10
s
0m
3
2
V DS = 1 0 V
T J = -55°C
25°C
125°C
10
5
2
1
0.5
RD
S(
ON
)L
I
MI
T
10
DC
10
1s
s
m
s
10
s
u
R θ J A = 42 C/W
1
0.1
0.05
V GS = 10V
SINGLE PULSE
o
T A = 25°C
0
0
2
4
6
8
10
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
60
100
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
1
Figure 14. Maximum Safe Operating Area.
0.5
D = 0.5
R JA (t) = r(t) * R JA
θ
0.2
0.1
0.05
0.02
0.2
0.1
0.05
0.02
P(pk)
θ θ
R JA = See Note 1 c
0.01
0.01
t 1
t 2
T J - T A = P * R
θ JA
0.005
0.002
0.001
Single Pulse
(t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 15. Transient Thermal Response Curve .
Note:
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c. Transient thermal response will change
depending on the circuit board design.
NDT014 Rev. C1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDT2955 | MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 |
| NDT3055L | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 |
| NDT3055 | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 |
| NDT451AN_J23Z | MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223 |
| NDT452AP | MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDT014(J23Z) | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223 |
| NDT014L | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDT014L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| NDT014L_SB9D008 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N channel MOSFET |
| NDT01N60 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5 |
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