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参数资料
| 型号： | NDT014L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 3.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 214pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NDT014LDKR |
Electrical Characteristics (T A = 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
I S
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
2.3
A
V SD
t rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
V GS = 0 V, I S = 2.3 A (Note 2)
V GS = 0 V, I F = 2.3 A dI F /dt = 100 A/μs
0.85
1.3
140
V
ns
= R θ JC + J R θ CA ( t ) = I 2 D ( t ) × R DS ( ON ) @ T J R θ JA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the
Notes:
1. P D ( t ) =
T J ? T A
R θ JA ( t )
T ? T A
solder mounting surface of the drain pins. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is defined by users. For general reference: Applications on 4.5"x5" FR-4 PCB under still air environment, typical
R θ JA is found to be:
a. 42 o C/W with 1 in 2 of 2 oz copper mounting pad.
b. 95 o C/W with 0.066 in 2 of 2 oz copper mounting pad.
c. 110 o C/W with 0.0123 in 2 of 2 oz copper mounting pad.
1a
1b
1c
Scale 1 : 1 on letter size paper
2. Pulse Test: Pulse Width < 300μs, Duty Cycle < 2.0%.
NDT014L Rev.D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDT014 | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4 |
| NDT2955 | MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 |
| NDT3055L | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 |
| NDT3055 | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 |
| NDT451AN_J23Z | MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDT014L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| NDT014L_SB9D008 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N channel MOSFET |
| NDT01N60 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5 |
| NDT01N60T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SOT223 600V 0.4A 65M - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SOT223 600V 0.4A 65M - Cut TR (SOS) 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NFET SOT223 600V 0.4A 65M |
| NDT-03B | 制造商:Star Micronics 功能描述:SPEAKER, 15MMX15MM, 8 OHM, 500mW, Transducer Function:Speaker, Power Rating RMS: |
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