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参数资料
| 型号： | NDT014L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 3.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 214pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NDT014LDKR |
Typical Electrical Characteristics
10
2
8
V GS = 10V
6.0
5.0
4.5
4.0
1.75
1.5
V GS =3.0V
6
3.5
1.25
3.5
4.0
4
3.0
1
4.5
5.0
6.0
2
2.5
0.75
10
0
0
1
2
3
4
5
0.5
0
2
4
6
8
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.75
I , DRAIN CURRENT (A)
D
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
2
1.5
I = 2.8A
D
V GS = 4.5V
1.75
V
GS
= 4.5V
T J = 125°C
1.5
1.25
1
1.25
1
25°C
0.75
0.75
-55°C
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.5
0
2
4
6
8
10
I , DRAIN CURRENT (A)
10
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
J
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
D
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
1.2
8
V DS = 5V
T = -55°C
J
25°C
1.1
V DS = V GS
I D = 250μA
125°C
6
4
2
1
0.9
0.8
0
0
1
2
3
4
5
6
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
J
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
NDT014L Rev.D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDT014 | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4 |
| NDT2955 | MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 |
| NDT3055L | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 |
| NDT3055 | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 |
| NDT451AN_J23Z | MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDT014L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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| NDT-03B | 制造商:Star Micronics 功能描述:SPEAKER, 15MMX15MM, 8 OHM, 500mW, Transducer Function:Speaker, Power Rating RMS: |
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