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参数资料
| 型号： | NDT3055 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDT3055DKR |
Typical Electrical Characteristics
15
12
V GS =10V
8.0V
7.0V
3
2.5
V GS = 5.5V
6.0V
9
6
6.0V
5.5V
2
1.5
6.5V
7.0V
8.0V
10V
3
5.0V
4.5V
1
0
0
1
2
3
4
5
0.5
0
4
8
12
16
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
2
I D = 4A
V GS =10V
1.6
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.4
I D = 2A
0.3
1.2
0.8
0.2
0.1
T A = 125°C
T A = 25°C
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to- Source Voltage.
T J = -55°C
10
8
6
4
V DS = 10V
25°C
125°C
10
1
0.1
0.01
V GS = 0V
T A = 125°C
25°C
-55°C
2
0.001
0
2
4
6
8
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and
Temperature.
NDT3055 Rev.B
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NDT3055L(J23Z) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3.7A I(D) | SOT-223 |
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