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参数资料
| 型号： | NDT3055 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDT3055DKR |
Typical Electrical Characteristics (continued)
15
I D = 4A
V DS = 10V
1000
12
9
20V
40V
500
200
C iss
C oss
100
6
3
50
20
f = 1 MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
3
6 9
Q g , GATE CHARGE (nC)
12
15
10
0.1
0.3
1
4
10
30
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
50
80
Figure 8. Capacitance Characteristics.
LIM
S(O
0u
1m
10m
0m
1s
10
DC
10
3
1
0.3
0.1
IT
N)
RD
V GS = 10V
SINGLE PULSE
10
s
10
s
s
s
s
60
40
20
SINGLE PULSE
R θ JA =110°C/W
T A = 25°C
R θ JA = 110 C/W
0.03
o
0.01
0.1
T A = 25°C
0.2 0.5
1
2
5
10
30
60 100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
1
0.5
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.05
0.02
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 110 °C/W
P(pk)
0.01
0.005
0.01
t 1
t 2
0.002
0.001
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve .
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
NDT3055 Rev.B
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NDT3055L(J23Z) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3.7A I(D) | SOT-223 |
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