参数资料
| 型号： | NIMD6001ANR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 60V 3.3A 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | * |
NIMD6001N, NIMD6001AN
10
T Jstart = 25 ° C
1000
100
T Jstart = 25 ° C
T Jstart = 150 ° C
T Jstart = 150 ° C
1
10
100
10
10
100
LOAD INDUCTANCE (mH)
Figure 8. Single Pulse Maximum Switch ? off
Current vs. Load Inductance
LOAD INDUCTANCE (mH)
Figure 9. Single Pulse Maximum Switching
Energy vs. Load Inductance
Figure 10. Single Pulse Peak Drain Current and
Avalanche Energy Test Circuit
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NIS6201DR2G | IC REG SWITCHED CAP 15V 8SOIC |
| NSD-1202-ASST | IC DRIVER MOTOR SQUIGGLE 16-QFN |
| NSD-2101-ASST | IC DRIVER MOTOR SQUIGGLE 16-QFN |
| NTGD1100LT1 | MOSFET N-CHAN 3.3A 8V TSOP6 |
| NUD3048MT1G | IC FET SW N-CH 100V ESD 6TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NIMD6001NR2G | 功能描述:功率驱动器IC DUAL N CH DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NIMD6302R2 | 功能描述:MOSFET NFET S08D 30V .050R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NIMD6302R2/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:HDPlus Dual N-Channel Self-Protected Field Effect Transistor with 1:200 Current Sense FET |
| NIMD6302R2_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:HDPlus Dual N−Channel Self−protected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET |
| NIMES-3980 | 制造商:NI 制造商全称:National Instruments Corporation 功能描述:Industrial Ethernet Switches - Managed and Unmanaged |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。