- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录138 > NSV1SS400T1G (ON Semiconductor)DIODE SWITCH 100V 200MA SOD523 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NSV1SS400T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 118K |
| 描述： | DIODE SWITCH 100V 200MA SOD523 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 80V |
| 电容@ Vr, F： | 3pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
               1SS400T1G, NSV1SS400T1G http://onsemi.com 2 Notes: 1. A 2.0 k variable resistor adjusted for a Forward Current (I F) of 10 mA. Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 10 mA. Notes: 3. tp ? t rr +10 V 2.0 k 820 0.1 F DUT VR 100 H 0.1 F 50 OUTPUT PULSE GENERATOR 50 INPUT SAMPLING OSCILLOSCOPE tr tp t 10% 90% IF IR trr t iR(REC) = 1.0 mA OUTPUT PULSE (IF = I R = 10 mA; MEASURED at iR(REC) = 1.0 mA) IF INPUT SIGNAL Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit Figure 2. Forward Voltage VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS) 1.0 10 100 0.1 Figure 3. Leakage Current VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 10 0.001 0 I 1.0 0.1 0.01 10 20 30 40 50 I 1.0 1.2 0.2 0.4 0.6 0.8 Figure 4. Capacitance VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 0 C 0.68 0.64 0.60 0.52 0.56 2.0 4.0 6.0 8.0 , FORWARD CURRENT (mA) F TA = 85 °C TA = -40 °C TA = 25 °C , REVERSE CURRENT ( A) R , DIODE CAPACITANCE (pF) D TA = 25 °C TA = 55 °C TA = 85 °C TA = 150 °C TA = 125 °C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NSVBAS21HT1G | DIODE SWITCH 200MA 250V SOD323 |
| NSVBAS70LT1G | DIODE SCHOTTKY 70V SOT-23-3 |
| NSVBAT54HT1G | DIODE SCHOTTKY 30V SOD-323-2 |
| NSVBAT54LT1G | DIODE SCHOTTKY 30V SOT-23-3 |
| NSVR0230M2T5G | DIODE SCHOTTKY 200MA 30V SOD723 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NSV20101JT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:20V NPN LOW VCE(SAT) - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / 20V NPN LOW VCE(SAT) |
| NSV20200LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| NSV20201LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:20V NPN LOW VCE(SAT) XTR - Tape and Reel |
| NSV307 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NEW PART# FOR DRWG DZ880504A- - Bulk |
| NSV40200LT1G | 功能描述:TRANS PNP BIPO 40V 2A SOT-23-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。