参数资料
型号: NSVBAS21HT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 88K
描述: DIODE SWITCH 200MA 250V SOD323
标准包装: 3,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 250V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 200mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 200V
电容@ Vr, F: 5pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-76,SOD-323
供应商设备封装: SOD-323
包装: 带卷 (TR)
BAS21HT1G, NSVBAS21HT1G, NSVBAS21HT3G
http://onsemi.com
3
Figure 2. Forward Voltage Figure 3. Reverse Leakage
FORWARD CURRENT (mA)
7000
REVERSE CURRENT (nA)
REVERSE VOLTAGE (V)
5000
3000
5
0
2
1
6000
4000
6
5 10 20 50 100 200
300
1
2
3
4
TA
=
?55°C
TA
= 155
°C
TA
= 25
°C
TA
=
?55°C
1 10 100 1000
1
200
400
600
800
1000
1200
FORWARD VOLTAGE (mV)
155°C
25°C
Figure 4. Diode Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
6
5
4
3
2
1
0.3
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
C
d
, DIODE CAPACITANCE (pF)
8
7
Figure 5. Maximum Non?repetitive Peak
Forward Current as a Function of Pulse
Duration, Typical Values
Tp
(mSec)
1
0.1
0.01
0
0.001
5
10
15
20
25
I
FSM
(A)
10
Based on square wave currents
TJ
= 25
°C prior to surge
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