参数资料
型号: NSVBAS70LT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 126K
描述: DIODE SCHOTTKY 70V SOT-23-3
标准包装: 3,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 70V
电流 - 平均整流 (Io): 70mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1V @ 15mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 70V
电容@ Vr, F: 2pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3(TO-236)
包装: 带卷 (TR)
BAS70LT1G, NSVBAS70LT1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
?C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage
(IR
= 10
A)
V(BR)R
70
?
V
Total Capacitance
(VR
= 0 V, f = 1.0 MHz)
CT
?
2.0
pF
Reverse Leakage
(VR
= 50 V)
(VR
= 70 V)
IR
?
?
0.1
10
A
Forward Voltage
(IF
= 1.0 mA)
VF
?
410
mV
Forward Voltage
(IF
= 10 mA)
VF
?
750
mV
Forward Voltage
(IF
= 15 mA)
VF
?
1.0
V
100
0.1
0 0.1
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.2 0.3 0.4
0.5
10
1.0
85?C
10
0.001
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.1
0.01
5.0 10 15 20
50
1.4
0
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.2
0.4
0.2
C
T
, CAPACITANCE (pF)
5.0 10 15 5020
25
30 35 40 45
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Reverse Current versus Reverse
Voltage
Figure 3. Typical Capacitance
-?C
25?C
TA
= 150
?C
25?C
I
R
, REVERSE CURRENT (
?
A)
1.0
-?C
1?C
150?C
100
0.6
0.8
1.0
0.6 0.7
125?C
85?C
25
30 35 40
45
0.8 0.9
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NSVBAV70TT1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel