参数资料
型号: NSVBAT54HT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 127K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V SOD-323-2
标准包装: 3,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 800mV @ 100mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 5ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2µA @ 25V
电容@ Vr, F: 10pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-76,SOD-323
供应商设备封装: SOD-323
包装: 带卷 (TR)
BAT54HT1G, NSVBAT54HT1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
?C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage
(IR
= 10
?A)
V(BR)R
30
?
?
V
Total Capacitance
(VR
= 1.0 V, f = 1.0 MHz)
CT
?
7.6
10
pF
Reverse Leakage
(VR
= 25 V)
IR
?
0.5
2.0
?Adc
Forward Voltage
(IF
= 0.1 mAdc)
VF
?
0.22
0.24
Vdc
Forward Voltage
(IF
= 30 mAdc)
VF
?
0.41
0.5
Vdc
Forward Voltage
(IF
= 100 mAdc)
VF
?
0.52
0.8
Vdc
Reverse Recovery Time
(IF
= I
R
= 10 mAdc, I
R(REC)
= 1.0 mAdc) Figure 1
trr
?
?
5.0
ns
Forward Voltage
(IF
= 1.0 mAdc)
VF
?
0.29
0.32
Vdc
Forward Voltage
(IF
= 10 mAdc)
VF
?
0.35
0.40
Vdc
Notes: 1. A 2.0 k?
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp
? t
rr
+10 V
2 k
820??
0.1 ?F
DUT
VR
100 ?H
0.1 ?F
50 ?
Output
Pulse
Generator
50 ?
Input
Sampling
Oscilloscope
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 1 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 10 mA; measured
at iR(REC)
= 1 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
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