参数资料
型号: NSVBAT54LT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 96K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V SOT-23-3
标准包装: 3,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 800mV @ 100mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 5ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2µA @ 25V
电容@ Vr, F: 10pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3(TO-236)
包装: 带卷 (TR)
BAT54LT1G, NSVBAT54LT1G
http://onsemi.com
3
C
T
, TOATAL CAPACITANCE (pF)
100
0.1
0.0 0.1
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.2 0.3 0.4
0.5
10
1.0
85°C
10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1
0.1
0.01
51015
20
25
14
0
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
12
4
2
51015 3020
25
Figure 2. Forward Voltage
Figure 3. Leakage Current
Figure 4. Total Capacitance
25°C?40°C
?55°C
TA
= 150
°C
TA
= 125
°C
TA
= 85
°C
TA
= 25
°C
0.6
150°C
125°C
100
1000
30
6
8
10
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
0
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PDF描述
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