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参数资料
| 型号： | NTB75N03-6G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 37.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5635pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTP75N03?06, NTB75N03?06
120
90
60
V GS = 4 V
V GS = 4.5 V
V GS = 5 V
V GS = 6 V
V GS = 8 V
V GS = 10 V
V GS = 3.5 V
150
135
120
105
90
75
V DS ≥ 10 V
V GS = 3 V
60
30
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
45
30
15
T J = 25 ° C
T J = 100 ° C
T J = ?55 ° C
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0.0075
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.009
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.0070
0.0065
0.0060
0.0055
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
0.008
0.007
T J = 25 ° C
V GS = 5 V
0.0050
0.006
0.0045
0.0040
T J = ?55 ° C
0.005
V GS = 10 V
0.0035
0.0030
0.004
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 120
0
20
40
60
80
100
120
1.6
1.4
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance vs. Drain Current and
Temperature
V GS = 10 V
I D = 37.5 A
1000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
100
1.2
T J = 100 ° C
1
10
0.8
0.6
1
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation Temperature
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current vs.
Voltage
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB75N03-6T4G | 功能描述:MOSFET 30V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N03L09 | 功能描述:MOSFET 30V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N03L09G | 功能描述:MOSFET 30V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N03L09G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| NTB75N03L09T4 | 功能描述:MOSFET 30V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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