- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18547 > NTB75N03-6G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTB75N03-6G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 37.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5635pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTP75N03?06, NTB75N03?06
12000
V GS V DS
V DS = 0 V
10
30
10000
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
8
V GS
8000
6
V DS
20
6000
C iss
4
Q 1
Q T
Q 2
4000
10
C oss
2000
C rss
0
10 8 6 4 2 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 25
2
0
0
10
Q 3
I D = 75 A
T J = 25 ° C
20 30 40 50
0
60
1000
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
75
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
100
t r
t f
t d(off)
t d(on)
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
T J = 25 ° C
I D = 75 A
V DD = 15 V
V GS = 5 V
10
5
0
1
2.2
4.7
6.2
9.1
10
20
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 75 A
25
50
75
100
125
150
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTB75N03-006 | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK |
| NTB65N02RG | MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK |
| NTB65N02R | MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK |
| NTB60N06LG | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK |
| NTB60N06L | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB75N03-6T4G | 功能描述:MOSFET 30V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N03L09 | 功能描述:MOSFET 30V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N03L09G | 功能描述:MOSFET 30V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N03L09G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| NTB75N03L09T4 | 功能描述:MOSFET 30V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。