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参数资料
| 型号： | NTB75N03-6G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 37.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5635pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTP75N03?06, NTB75N03?06
PACKAGE DIMENSIONS
D 2 PAK
CASE 418AA?01
ISSUE O
C
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
?B?
4
E
V
W
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
INCHES MILLIMETERS
DIM MIN MAX MIN MAX
A
0.340 0.380
8.64 9.65
B
0.380 0.405
9.65 10.29
1
2
3
S
A
C
D
E
0.160 0.190
0.020 0.036
0.045 0.055
4.06 4.83
0.51 0.92
1.14 1.40
F
G
0.310 ???
0.100 BSC
7.87 ???
2.54 BSC
?T?
SEATING
PLANE
G
K
J
W
J
K
M
S
0.018 0.025
0.090 0.110
0.280 ???
0.575 0.625
0.46 0.64
2.29 2.79
7.11 ???
14.60 15.88
V
0.045 0.055
1.14 1.40
VARIABLE
CONFIGURATION
D 3 PL
0.13 (0.005)
M
T B
M
STYLE 2:
PIN 1.
2.
3.
4.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
ZONE
U
M
F
VIEW W?W
1
M
F
VIEW W?W
2
M
F
VIEW W?W
3
SOLDERING FOOTPRINT*
8.38
0.33
10.66
0.42
17.02
0.67
1.016
0.04
3.05
0.12
SCALE 3:1
5.08
0.20
mm
inches
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
6
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB75N03-6T4G | 功能描述:MOSFET 30V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N03L09 | 功能描述:MOSFET 30V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N03L09G | 功能描述:MOSFET 30V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N03L09G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| NTB75N03L09T4 | 功能描述:MOSFET 30V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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