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参数资料
| 型号： | NTD4965NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 68A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1710pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.39W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD4965N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2400
2200
2000
1800
1600
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
9
8
7
Q T
1400
1200
6
5
1000
800
600
400
200
0
0
5
C rss
10
C oss
15
20
25
30
4
3
2
1
0
0
2
Q gs
4
6
8
Q gd
I D = 30 A
T J = 25 ° C
V DD = 15 V
V GS = 10 A
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source
Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
t r
25
20
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
t d(off)
15
10
t f
t d(on)
10
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
48
44
I D = 31 A
100
10
1
0 V < V GS < 10 V
Single Pulse
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
40
36
32
28
24
20
16
0.1
0.01
0.01
T C = 25 ° C
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1 1
10
dc
100
12
8
4
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD4970N-35G | MOSFET N-CH 30V 38A IPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4969N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N?Channel, DPAK/IPAK CPU Power Delivery |
| NTD4969N-1G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4969N-35G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4969NT4G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4970N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 36 A, Single Na??Channel, DPAK/IPAK |
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