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参数资料
| 型号： | NTD5802NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.4 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5025pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD5802N, NVD5802N
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
8000
7000
6000
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
15
12
Q T
I D = 50 A
T J = 25 ° C
30
24
5000
4000
3000
9
6
V DS
Q GS
Q DS
V GS
18
12
2000
C oss
1000
C rss
0
10 5 0 5 10 15 20 25 30 35
V GS V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE
VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
V DD = 20 V
I D = 50 A
t d(off)
V GS = 10 V
t r
40
3
0
0
20 40 60
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
60
V GS = 0 V
50
T J = 25 ° C
6
0
80
100
40
10
t f
t d(on)
30
20
10
1
1
10
100
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
1000
100
10
V GS = 10 V
Single Pulse
1 T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
dc
0.1
0.1
Package Limit
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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