参数资料
型号: NTE65101
厂商: NTE Electronics, Inc.
英文描述: Integrated Circuit 256 x 4-Bit Static Random Access Memory (SRAM)
中文描述: 集成电路256 × 4位静态随机存取存储器(SRAM)
文件页数: 4/4页
文件大小: 30K
代理商: NTE65101
CE 1
OD
V
CC
A4
Pin Connection Diagram
DO 3
DI 3
R/W
GND
DI 1
A5
A6
A7
A0
A1
DI 4
A2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A3
22
21
20
19
18
17
CD 2
16
15
14
13
12
DO 2
DO 1
DI 2
11
10
DO 4
22
12
1
11
1.300 (33.0)
1.000 (25.4)
.100 (2.54)
.410
(11.41)
.216
(5.5)
.110 (2.79)
.400
(10.16)
相关PDF资料
PDF描述
NTE65 Silicon NPN Transistor High Voltage, Low Noise for CATV, MATV
NTE6664 Integrated Circuit 64K-Bit Dynamic RAM
NTE66 MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE67 MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE6809 Integrated Circuit NMOS, 8-Bit Microprocessor (MPU)
相关代理商/技术参数
参数描述
NTE652 制造商:NTE Electronics 功能描述:CRYSTAL - 4.000 MHZ
NTE653 制造商:NTE Electronics 功能描述:CRYSTAL-5.000 MHZ
NTE6532 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Logic IC
NTE654 制造商:NTE Electronics 功能描述:Crystal 10.245MHz 32pF 2-Pin
NTE655 制造商:NTE Electronics 功能描述:CRYSTAL - 4.0000 MHZ