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参数资料
| 型号： | NTF3055-100T3LF |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 |
| 产品变化通告： | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 455pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTF3055-100T3LFOS |
NTF3055 ? 100, NVF3055 ? 100
6
6
V DS ≥ 10 V
5
4
3
V GS = 10 V
V GS = 8 V
V GS = 5 V
5
4
3
2
V GS = 4.5 V
2
T J = 25 ° C
1
0
0
1
V GS = 6 V
2
V GS = 4 V
3
4
1
0
3
T J = 100 ° C
3.5
4
T J = ? 55 ° C
4.5 5
5.5
6
V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS, GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
V GS = 15 V
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.04
0.02
0.04
0.02
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2.2
2
I D = 1.5 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
100
10
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTF3055-160 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 2.0 Amps, 60 Volts N-Channel SOT-223 |
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| NTF3055-160T3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| NTF3055-160T3LF | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTF3055L108 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N−Channel SOT−223 |
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