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参数资料
| 型号： | NTF3055-100T3LF |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 |
| 产品变化通告： | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 455pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTF3055-100T3LFOS |
NTF3055 ? 100, NVF3055 ? 100
800
700
V DS = 0 V
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
12
10
Q T
600
500
400
300
C rss
C iss
8
6
4
Q 1
Q 2
V GS
200
C oss
100
0
10
5 V GS 0 V DS 5
C rss
10
15
20
25
2
0
0
2
4
6
8
I D = 3 A
T J = 25 ° C
10
12
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
100
V DS = 30 V
I D = 3 A
V GS = 10 V
t f
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(off)
t r
t d(on)
2
1
1
1
10
100
0
0.54
0.58 0.62
0.66
0.7
0.74 0.78 0.82 0.86
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
100
10
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
80
70
60
I D = 7 A
50
1
0.1
10 ms
1 ms
40
30
20
0.1
0.01
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
100 m s
10
dc
100
10
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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