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参数资料
| 型号： | NTF3055-160T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 30/Dec/2003 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTF3055-160T1OS |
NTF3055–160
3.6
3.2
VGS = 6 V
VGS = 5.5 V
2.8
VDS ≥ 10 V
2.8
2.4
2.4
2
VGS = 7 V
2
1.6
1.6
1.2
VGS = 8 V
VGS = 5 V
1.2
TJ = 25 ° C
0.8
0.4
VGS = 10 V
VGS = 4.5 V
0.8
0.4
TJ = 100 ° C
TJ = –55 ° C
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3
3.4
3.8
4.2
4.6
5
5.4
5.8
6.2
0.28
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On–Region Characteristics
VGS = 10 V
0.28
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
VGS = 15 V
0.24
0.2
TJ = 100 ° C
0.24
0.2
0.16
0.12
0.08
0.04
TJ = 25 ° C
TJ = –55 ° C
0.16
0.12
0.08
0.04
TJ = 25 ° C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
2
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On–Resistance versus
Gate–to–Source Voltage
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
ID = 1 A
1000
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
VGS = 0 V
1.8
1.6
1.4
1.2
VGS = 10 V
100
TJ = 150 ° C
TJ = 125 ° C
1
0.8
10
TJ = 100 ° C
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
10
20
30
40
50
60
TJ, JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain–to–Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTF3055L108T3LFG | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NTF3055L108 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N−Channel SOT−223 |
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| NTF3055L108D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N−Channel SOT−223 |
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