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参数资料
| 型号： | NTF3055-160T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 30/Dec/2003 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTF3055-160T1OS |
NTF3055–160
560
12
480
VDS = 0 V
VGS = 0 V
TJ = 25 ° C
10
QT
400
Ciss
8
VGS
320
240
Crss
Ciss
6
Q1
Q2
160
Coss
4
80
Crss
2
ID = 2 A
TJ = 25 ° C
0
10
5 VGS 0 VDS 5
10
15
20
25
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
100
GATE–TO–SOURCE OR DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
2
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate–to–Source and
Drain–to–Source Voltage versus Total Charge
10
VDS = 30 V
ID = 2 A
VGS = 10 V
td(off)
td(on)
tr
tf
1.6
1.2
0.8
0.4
VGS = 0 V
TJ = 25 ° C
1
1
10
100
0
0.6
0.64
0.68
0.72
0.76
0.8
0.84
0.88
RG, GATE RESISTANCE ( ? )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
VSD, SOURCE–TO–DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
100
10
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25 ° C
70
60
ID = 6 A
50
1
0.1
dc
10 ms
40
30
0.01
1 ms
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
100 μ s
10 μ s
20
10
0.001
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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