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参数资料
| 型号： | NTF3055L108T3LFG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 |
| 产品变化通告： | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 1.5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTF3055L108T3LFGOS |
NTF3055L108, NVF3055L108
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
6
5
V GS = 3.5 V
V GS = 3.4 V
6
5
V DS > = 10 V
4
V GS = 4.5 V
V GS = 3.2 V
4
3
2
1
V GS = 6 V
V GS = 10 V
V GS = 3 V
V GS = 2.8 V
V GS = 2.5 V
3
2
1
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS, GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
V GS = 5 V
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.04
0.04
0.02
0
1
2
3
4
5
6
0.02
0
1
2
3
4
5
6
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2
1.8
1.6
I D = 1.5 A
V GS = 5 V
10000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
1.2
100
1
0.8
10
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTF3055L175T1 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTF3055L175 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level |
| NTF3055L175T1 | 功能描述:MOSFET 60V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTF3055L175T1G | 功能描述:MOSFET 60V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTF3055L175T3 | 功能描述:MOSFET 60V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTF3055L175T3G | 功能描述:MOSFET 60V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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