参数资料
型号: NTF3055L108T3LFG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
产品变化通告: Specification Change MSL Updated 2/April/2007
Product Discontinuation 03/Apr/2007
标准包装: 4,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 120 毫欧 @ 1.5A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 440pF @ 25V
功率 - 最大: 1.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223
包装: 带卷 (TR)
其它名称: NTF3055L108T3LFGOS
NTF3055L108, NVF3055L108
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
100
10
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1
0.01
0.1
Single Pulse
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
NTF3055L108T1G
NVF3055L108T1G
Device
Package
SOT ? 223 (TO ? 261)
(Pb ? Free)
SOT ? 223 (TO ? 261)
(Pb ? Free)
Shipping ?
1000 / Tape & Reel
1000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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NTF3055L175T1G 功能描述:MOSFET 60V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTF3055L175T3 功能描述:MOSFET 60V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTF3055L175T3G 功能描述:MOSFET 60V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube